国家/地区 韩国(48) 美国(35) 中国(28) 日本(25) 世界知识产权组织(17) 欧洲专利局(EPO)(10) 台湾(8) 印度(5) 德国(4) 墨西哥(4) 俄罗斯(4) 加拿大(3) 巴西(2) 法国(2) 新加坡(2)
IPC部 C(61) H(53) B(49)
G(11) D(2) F(2)
IPC大类 H01(53) C01(43) B82(27)
B32(15) B05(10) C23(10)
C25(8) B01(6) C09(6)
G01(6) C08(5) C30(5)
G11(3) C10(2) D01(2)
IPC小类 C01B(43) H01L(30) B82B(20)
B32B(15) H01B(12) B05D(10)
B82Y(10) C23C(9) H01M(8)
H01G(6) B01J(5) C09K(5)
C25D(5) C30B(5) H01J(5)
IPC C01B031/02(34) C01B031/04(21) B82B003/00(17)
B82Y030/00(8) B82Y040/00(8) B32B009/00(7)
H01B001/04(6) B82B001/00(5) C23C016/26(5)
H01L021/20(5) C08K003/04(4) H01G009/058(4)
H01L021/02(4) H01L021/205(4) H01L029/786(4)
发明人 JANG B Z(7) ZHAMU A(7) ZHANG L(7)
CHENG H(6) FAN S(6) GAO L(6)
JIANG K(6) REN W(6) WU Z(6)
ZHANG H(6) KIM K B(5) LIU B(5)
KIM H M(4) AHN J H(3) FUJII K(3)
公开年 2011(107)
申请年 2009(107)
专利权人 JANG B Z(7) NANOTEK INST.(7) ZHAMU A(7) CHINESE ACAD.(5)
HON HAI PREC.(5) SNU R DB FOU.(5) UNIV SUNGKYU.(5) CHINESE ACAD.(4)
UNIV TSINGHU.(4) CHINESE ACAD.(3) FUJI ELECTRI.(3) FUJI ELECTRI.(3)
GUARDIAN GLA.(3) GUARDIAN IND(3) GUARDIAN IND.(3) HGST NETHERL.(3)
HONGFUJIN PR.(3) KOREA INST C.(3) PISANA S(3) SAMSUNG TECH.(3)